Вы искали: полупроводники

Радиоматериалы и радиокомпоненты

Приведены методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине "Радиоматериалы и радиокомпоненты". Даны краткие теоретические сведения об исследуемых физических эффектах в диэлектрических, полупроводниковых и проводящих материалах, представлены описания лабораторных стендов и порядок выполнения работ. Сформированы требования к содержанию отчетов и приведены контрольные вопросы.

Полупроводниковые диоды

Издание содержит методические указания по подготовке к семинарским занятиям и выполнению домашнего задания по дисциплине "Электроника и микроэлектроника". В первой части изложены основные теоретические сведения, необходимые для решения задач на семинарах и выполнения домашнего задания. Во второй части приведено 10 вариантов домашних заданий для самостоятельного выполнения студентами.

Исследование характеристик полупроводниковых приборов

Изложены сведения, необходимые для исследования характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов, стабилитронов, туннельных диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены принципы работы этих приборов, даны их основные статические характеристики и параметры.

Физика твердого тела (2-е издание)

Подробно изложены основы современной физики твердого тела. Большое внимание уделено описанию и формированию структуры твердых кристаллических и аморфных тел, дефектов строения твердых тел, спектров энергетических состояний в твердых телах, а также тепловым, электрическим, магнитным, оптическим свойствам твердых тел и вопросам сверхпроводимости. Кратко изложены основные физические методы исследования, используемые в физике твердого тела. Рассмотрено применение изучаемых явлений в устройствах современной техники, например в устройствах магнитной записи, в магнитострикционных преобразователях, различных устройствах на основе полупроводниковых p-n-переходов: свето- и лазерных диодах, полупроводниковых генераторах напряжения, транзисторах и др.

Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками

Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые явления, создать мощные лазеры, конкурирующие с твердотельными. Рассмотрены известные соединения АIIIВV и АIIВVI, а также новые трех- и четырехкомпонентные "идеальные" твердые растворы. В условиях интенсивного возбуждения обнаружено новое явление - атермический импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные явления и спектрально-временные характеристики излучения с разрешением до 10-11 с. Рассмотрены возможные физические модели этих явлений.

Материалы для проходных оптических элементов СО2-лазеров

Описаны основные кристаллические материалы, имеющие прозрачность в ИК-области, оценена их лучевая прочность, пороги разрушения и лучевая стойкость. Рассмотрены методы их определения. Даны рекомендации по применению материалов для проходной оптики в зависимости от мощности излучения СО2-лазеров.

Проверка формулы Шокли для p-n-перехода и определение ширины запрещенной зоны германия

Рассмотрены физические процессы в p-n-переходе и элементарная теория перехода, описана методика экспериментальной проверки формулы Шокли для вольт-амперной характеристики перехода и определения ширины запрещенной зоны германия.

Изучение электропроводности полупроводников в зависимости от температуры

Дан краткий обзор основных понятий и соотношений зонной теории электропроводности твердых тел. Изложена методика измерений вольт-амперных характеристик образцов из полупроводниковых материалов, а также методика расчета значений ширины их запрещенной зоны.

1