Вы искали: p-n-переход

Полупроводниковые диоды

Издание содержит методические указания по подготовке к семинарским занятиям и выполнению домашнего задания по дисциплине "Электроника и микроэлектроника". В первой части изложены основные теоретические сведения, необходимые для решения задач на семинарах и выполнения домашнего задания. Во второй части приведено 10 вариантов домашних заданий для самостоятельного выполнения студентами.

Исследование характеристик полупроводниковых приборов

Изложены сведения, необходимые для исследования характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов, стабилитронов, туннельных диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены принципы работы этих приборов, даны их основные статические характеристики и параметры.

Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине "Физические основы микроэлектроники"

Представлены лабораторные работы, посвященные исследованию характеристик полупроводниковых материалов, элементов на основе p-n-переходов, тонкопленочных резисторов, а также характеристик интегральных схем.

Физико-химические свойства полупроводниковых материалов

Описаны физико-химические свойства элементарных полупроводников (кремний, германий) и полупроводниковых соединений типа АIIIВV и АIIВVI, механизм возникновения собственной и примесной проводимости, методы получения и очистки полупроводниковых материалов, химические реакции, протекающие при их взаимодействии с различными веществами, в том числе при травлении.

Проверка формулы Шокли для p-n-перехода и определение ширины запрещенной зоны германия

Рассмотрены физические процессы в p-n-переходе и элементарная теория перехода, описана методика экспериментальной проверки формулы Шокли для вольт-амперной характеристики перехода и определения ширины запрещенной зоны германия.

Полупроводниковые элементы электронных устройств

Рассмотрены физические принципы работы полупроводниковых структур, а также конструктивные особенности, основные технические параметры и характеристики диодов, биполярных и полевых транзисторов и схем их включения.

Изучение свойств p-n-переходов

В работе приведены основные положения квантовой теории электропроводности полупроводников и выпрямляющих свойств p-n-перехода. Описаны экспериментальные методы определения характерных параметров полупроводниковых диодов.

1