Проведение научных экспериментов в наноинженерии

Проведение научных экспериментов в наноинженерии
Под редакцией В.А. Шахнова
  • Год:
    2015
  • Тип издания:
    Учебное пособие
  • Объем:
    132 стр. / 8.25 п.л
  • Формат:
    60x90/16
  • ISBN:
    978-5-7038-4141-9
  • Читать Online

Ключевые слова: аморфные пленки, зондовые методы, керметы, кремниевые пластины, кремний, микронеоднородности сопротивления, микроструктуры, микроэлектроника, наноинженерия, наноструктуры, наноэлектроника, резистивные материалы, тонкие пленки, электропроводность

Учебное пособие содержит материалы о методах формирования и исследования микро- и наноструктур. Основное внимание уделено лабораторному практикуму по наукоемким технологиям микро- и наноэлектроники.

Для студентов, обучающихся по направлениям "Конструирование и технология электронных средств" (211000), "Наноинженерия" (152200), "Радиотехника" (210400).

ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Исследование микронеоднородности и температурных коэффициентов сопротивления кремния и резистивных материалов
1.1. Электропроводность кремния
1.2. Влияние разброса значений удельного сопротивления на качество и выход годных изделий
1.3. Зондовые методы измерения удельного сопротивления
1.4. Омические контакты и способ их создания
1.5. Метод тестового контроля микронеоднородности сопротивления монокристаллического кремния
1.6. Производство поли- и монокристаллического кремния и кремниевых пластин
1.7. Изготовление кремниевых пластин
Лабораторный практикум к главе 1
Работа 1.1. Исследование микронеоднородности сопротивления по длине (образующей) слитка монокристаллического кремния
Работа 1.2. Исследование микронеоднородности сопротивления по торцам слитков (пластин) монокристаллического кремния
Работа 1.3. Исследование зависимости удельной электропроводности монокристаллического примесного кремния от температуры в диапазоне 20...100 °C
Работа 1.4. Исследование микронеоднородности сопротивления резистивного сплава РС 3710 и кермета К-50С в виде тонких пленок на ситалловой подложке
Работа 1.5. Исследование температурной зависимости удельной электропроводности резистивных материалов РС-3710 и кермета К-50С в диапазоне 20...100 °C
2. Исследования методов контроля толщины, топографии, структуры, дефектности, элементного состава поверхностей тонких пленок и процессов формирования профилированных структур
2.1. Исследование толщины аморфных пленок диоксида кремния
2.2. Исследование толщины тонких пленок поликристаллического кремния
2.3. Исследование толщины аморфных пленок нитрида кремния
2.4. Методы исследования топографии и структуры поверхности тонких пленок на примере пленок алюминия для систем генерации, передачи и обработки информации в нано- и микроэлектронно-системной технике
2.5. Средства исследования топографии и структуры поверхности тонких пленок
2.6. Методы исследования дефектности и элементного состава поверхности на примере тонких пленок алюминия
2.7. Методы исследования процессов формирования профилированных полупроводниковых и диэлектрических структур
Лабораторный практикум к главе 2
Работа 2.1. Измерение толщины аморфных пленок диоксида кремния
Работа 2.2. Измерение толщины тонких пленок поликристаллического кремния
Работа 2.3. Измерение толщины аморфных пленок нитрида кремния
Работа 2.4. Исследование топографии и структуры поверхности тонких пленок алюминия в технологии формирования слоя пористого анодного оксида Al2O3
Работа 2.5. Исследование дефектности и элементного состава поверхности тонких пленок алюминия в технологии формирования слоя пористого анодного оксида Al2O3
Работа 2.6. Исследование процессов формирования профилированных полупроводниковых и диэлектрических структур

Авторы работы: Адамова А.А., Башков В.М., Власов А.И., Жуков А.А., Козлов Д.В., Кульгашов Е.В., Миронов Ю.М., Резчикова Е.В., Соловьев В.Ан., Шахнов В.А., Школьников В.М.