Материалы микроэлектроники: тонкие пленки для интегрированных устройств

Материалы микроэлектроники: тонкие пленки для интегрированных устройств
О.М. Жигалина
  • Год:
    2017
  • Тип издания:
    Учебное пособие
  • Объем:
    124 стр. / 10.075 п.л
  • Формат:
    70x100/16
  • ISBN:
    978-5-7038-4743-5
  • Читать Online

Ключевые слова: запоминающие устройства, кристаллизация, легирование, методы получения пленок, микроэлектроника, отжиг, перовскиты, поляризация, сегнетоэлектрики, ультратонкие пленки, фазовые переходы

Изложены основные понятия, относящиеся к науке о строении и свойствах сегнетоэлектрических материалов. Рассмотрены примеры применения и перспективы использования сегнетоэлектрических пленок в интегрированных устройствах современной микроэлектроники, а также основные тенденции развития материалов и технологий в этой области. Подробно рассмотрены вопросы формирования и визуализации структуры многослойных композиций на основе тонких пленок и границ раздела пленка - подложка на атомном уровне с помощью методов электронной микроскопии и моделирования изображений высокого разрешения, а также принципы создания наноструктур в пористых матрицах. Издание иллюстрирует возможности применения методов современного структурного анализа к исследованию и визуализации микро- и наносистем.

Для магистрантов, обучающихся по направлению подготовки 22.04.01 "Материаловедение и технологии материалов". Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области материаловедения тонкопленочных материалов.

ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Общие сведения о сегнетоэлектриках
1.1. Поляризация сегнетоэлектриков
1.2. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках
1.3. Феноменологическая теория сегнетоэлектриков
1.4. Структура перовскитов
1.5. Фазовые переходы на примере титаната бария
1.6. Другие соединения сегнетоэлектриков
2. Методы получения пленок и механизмы их роста
2.1. Механизмы роста пленок
2.2. Физические методы получения пленок
2.3. Химические методы получения пленок
3. Формирование структуры многослойных композиций на основе сегнетоэлектрических пленок
3.1. Многослойные композиции на основе пленок цирконата-титаната свинца
3.2. Формирование структуры слоев металлизационной системы
3.3. Легирование пленок цирконата-титаната свинца лантаном
3.4. Структура пленок титаната бария и титаната бария-стронция
3.5. Механизмы кристаллизации пленок цирконата-титаната свинца и титаната бария-стронция
3.6. Сегнетоэлектрические пленки на диэлектрических подложках
3.7. Влияние лазерного отжига на структуру пленок цирконата-титаната свинца и титаната бария-стронция
3.8. Эпитаксиальные ультратонкие пленки для устройств сверхвысокочастотного диапазона
4. Применение сегнетоэлектрических пленок в составе интегрированных запоминающих устройств
4.1. Основные типы памяти
4.2. Энергонезависимые перепрограммируемые запоминающие устройства на основе пленок цирконата-титаната свинца
4.3. Запоминающие устройства с произвольной выборкой на основе пленок титаната бария-стронция с высокой диэлектрической проницаемостью
5. Cегнетоэлектрики в каналах пористых матриц
Приложение 1. Применение сегнетоэлектрических микро- и наноструктур в микроэлектронике
Приложение 2. Словарь терминов
Приложение 3. Фонд оценочных средств для проведения текущей и промежуточной аттестации студентов по первому модулю дисциплины "Материалы микро- и наноэлектроники"

Авторы работы: Жигалина Ольга Михайловна