Наноматериалы для радиоэлектронных средств. Часть 2. Исследование наноматериалов с помощью сканирующего туннельного микроскопа

Наноматериалы для радиоэлектронных средств. Часть 2. Исследование наноматериалов с помощью сканирующего туннельного микроскопа
К.В. Малышев, В.М. Башков, С.А. Мешков
  • Год:
    2007
  • Тип издания:
    Методические указания
  • Объем:
    42 стр. / 2.75 п.л
  • Формат:
    60x84/16
  • ISBN:
  • Читать Online

Ключевые слова: зонные структуры, квазижидкие нанослои, надбарьерный перенос, наноматериалы, нанослои, работы выхода, резонансное туннелирование, сканирующий туннельный микроскоп, токопереносе, фрактальные характеристики, шумовые характеристики, электронные состояния

В данные методические указания включены лабораторные работы, посвященные экспериментальным исследованиям с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) характеристик наноматериалов, перспективных для радиоэлектронных средств. Во второй части изучается измерение электрических характеристик наноматериалов с помощью СТМ.

Для студентов 6-го курса приборостроительных специальностей.

СОДЕРЖАНИЕ
Работа № 5. Измерение спектра электронных состояний в наноматериалах с помощью СТМ
Работа № 6. Измерение эффективной работы выхода квазижидких нанослоев с помощью СТМ
Работа № 7. Измерение шумовых и фрактальных характеристик квазижидких нанослоев с помощью СТМ

Авторы работы: Малышев К.В., Башков В.М., Мешков С.А.