Полупроводниковые элементы электронных устройств

Полупроводниковые элементы электронных устройств
Г.А. Орлов, А.К. Токарев
  • Год:
    2009
  • Тип издания:
    Учебное пособие
  • Объем:
    92 стр. / 5.35 п.л
  • Формат:
    60x84/16
  • ISBN:
  • Читать Online

Ключевые слова: p-n-переход, биполярные транзисторы, варикапы, выпрямительные диоды, диоды, импульсные диоды, полевые транзисторы, полупроводниковые диоды, полупроводниковые структуры, светодиоды, туннельные диоды, фотодиоды, электронные устройства

Рассмотрены физические принципы работы полупроводниковых структур, а также конструктивные особенности, основные технические параметры и характеристики диодов, биполярных и полевых транзисторов и схем их включения.

Для студентов, обучающихся по специальностям "Роботы и робототехнические системы", "Мехатроника и робототехника".

ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Полупроводниковые диоды
1.1. Основы электрической проводимости твердых тел
1.2. Физические основы работы p-n-перехода
1.3. Основные характеристики p-n-перехода
1.4. Особенности реальных p-n-переходов
1.5. Емкости p-n-перехода
1.6. Разновидности полупроводниковых диодов
2. Биполярные транзисторы
2.1. Физические основы работы биполярных транзисторов
2.2. Схемы включения транзисторов
2.3. Биполярный транзистор как элемент схемы
3. Полевые транзисторы
3.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
3.2. Принцип действия и основные характеристики полевых транзисторов с изолированным затвором

Авторы работы: Орлов Г.В., Токарев А.К.