Исследование полупроводниковых диодов в MicroСap, Multisim и MathCAD

Исследование полупроводниковых диодов в MicroСap, Multisim и MathCAD
Р.Ш. Загидуллин
  • Год:
    2016
  • Тип издания:
    Методические указания
  • Объем:
    144 стр. / 9 п.л
  • Формат:
    60x90/16
  • ISBN:
    978-5-7038-4423-6
  • Читать Online

Ключевые слова: MathCAD, MicroСap, Multisim, вольт-амперные характеристики, мультиметры, осциллографы, полупроводниковые диоды

Изложены особенности проведения лабораторных исследований свойств полупроводниковых диодов, моделирования стендов для исследования. Рассмотрено взаимодействие программ схемотехнического моделирования MicroСap и программ математической обработки экспериментальных данных. Приведены особенности проведения экспериментов для расчета моделей полупроводниковых диодов.

Для студентов, обучающихся по направлению подготовки "Радиоэлектронные системы и комплексы". Может быть полезно при курсовом и дипломном проектировании.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Модуль 1. Исследование в MicroСap и лаборатории
Эксперимент № 1
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов на модели лабораторного стенда
Исследование вольт-фарадных характеристик полупроводниковых диодов на модели лабораторного стенда
Формирование модели полупроводникового диода по данным моделирования на лабораторном стенде
Эксперимент № 2
Измерение характеристик полупроводниковых приборов на традиционном лабораторном стенде
Измерение прямой ветви ВАХ диодов из германия и кремния на традиционном лабораторном стенде
Измерение обратной ветви ВАХ диодов из германия и кремния на традиционном лабораторном стенде
Расчетная часть
Формирование модели полупроводникового диода по данным, полученным на традиционном лабораторном стенде
Особенности построения кривых решений в MicroСap
Вывод данных решения MicroСap во внешний текстовый файл
Математические модели полупроводникового диода
Чтение данных из текстового файла в программу MathCAD
Построение кривой ВАХ, заданной таблицей, в MathCAD
Расчет параметров модели полупроводникового диода средствами MathCAD
Построение ВАХ, заданной таблицей и функциональной зависимостью, на одном графике
Расчет параметров модели полупроводникового диода методом трех ординат
Расчет параметров барьерной емкости для модели диода
Расчет параметров модели полупроводникового диода программой MODEL
Включение модели в базу данных
Модуль 2. Исследование в программе Multisim
Эксперимент № 3
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов с использованием одного мультиметра
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов с использованием двух мультиметров
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов с использованием осциллографа и генератора
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов с использованием прибора IV
Эксперимент № 4
Исследование полупроводниковых диодов классическим методом анализа
Исследование полупроводниковых диодов с использованием прибора Bode Plotter
Эксперимент № 5
Окна программы MODEL
Работа с программой MODEL для создания модели диода
Эксперимент № 6
Включение модели диода в базу данных Multisim
Работа с базой данных программы Multisim
Управление базами данных в программе Multisim
Создание модели диода в Multisim с помощью Model Maker
Осциллограф в программе Multisim
Настройка осциллографа
Режимы работы осциллографа
Особенности работы со схемой определения АЧХ контура в программе Multisim

Авторы работы: Загидуллин Равиль Шамильевич