Исследование полупроводниковых приборов

Исследование полупроводниковых приборов
Д.В. Бутенко, Б.Л. Созинов, Г.С. Черкасова
  • Год:
    2016
  • Тип издания:
    Методические указания
  • Объем:
    74 стр. / 4.6 п.л
  • Формат:
    60x90/16
  • ISBN:
    978-5-7038-4333-8
  • Читать Online

Ключевые слова: биполярные транзисторы, диоды, лабораторная работа, модель Эберса-Молла, полевые транзисторы, полупроводниковые приборы, стабилитроны

Представлены лабораторные работы по исследованию полупроводниковых приборов. Приведены краткие сведения об основных характеристиках и параметрах диодов, биполярных и полевых транзисторов. Дано описание лабораторной установки. Рассмотрена методика измерения вольт-амперных характеристик и определения параметров диодов и транзисторов, а также методика изучения работы биполярного транзистора в режиме переключения.

Для студентов МГТУ им. Н.Э. Баумана, обучающихся по специальностям "Радиоэлектронные системы и комплексы", "Биотехнические системы и технологии", "Системы управления летательными аппаратами".

ОГЛАВЛЕНИЕ
Описание лабораторной установки
Работа № 1. Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов
Работа № 2. Исследование биполярного транзистора. Модель Эберса - Молла
Работа № 3. Исследование полевого транзистора
Работа № 4. Исследование биполярного транзистора в режиме переключения
Приложение 1. Справочные данные полупроводниковых диодов
Приложение 2. Справочные данные стабилитронов
Приложение 3. Справочные данные биполярных транзисторов
Приложение 4. Справочные данные полевых транзисторов
Приложение 5. Формы отчетов о лабораторных работах

Авторы работы: Бутенко Д.В., Созинов Б.Л., Черкасова Г.С.