Нанотехнология и микромеханика. Часть 5. Надежность наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе

Нанотехнология и микромеханика. Часть 5. Надежность наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
В.Д. Шашурин, Н.А. Ветрова, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, О.С. Нарайкин, Н.В. Федоркова, В.О. Москаленко
  • Год:
    2012
  • Тип издания:
    Учебное пособие
  • Объем:
    88 стр. / 5.12 п.л
  • Формат:
    60x84/16
  • ISBN:
  • Читать Online

Ключевые слова: барьер Шоттки, вероятность, газофазная эпитаксия, гетеродины, гетероструктуры, деградация параметров, диоды, микромеханика, молекулярно-лучевая эпитаксия, наноприборы, нанослои, нанотехнология, наработка до отказа, показатели надежности, поле допустимых значений, постепенный отказ, потенциальная яма, потенциальный барьер, резонансно-туннельные диоды, резонансное туннелирование, смесители радиосигналов, уровень Ферми, функции качества, чувствительность, экспертные оценки

Проанализированы вопросы обеспечения надежности радиоэлектронных средств нового поколения - на базе приборов, функционирующих на квантоворазмерных эффектах в наноразмерных слоях составляющих их полупроводниковых гетероструктур. В качестве примера рассмотрено обеспечение надежности смесителя радиосигналов СВЧ-диапазона на базе резонансно-туннельных диодов.

Для студентов старших курсов.

ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Проблемы обеспечения качества производства наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
1.1. Тенденции развития радиоэлектронных систем связи
1.2. Конструкторско-технологические аспекты изготовления радиоэлектронных устройств на базе наноприборов
1.3. Формирование показателей надежности радиоэлектронных устройств на базе наноприборов
1.4. Проблемы обеспечения качества производства радиоэлектронных устройств на базе наноприборов на примере смесителей радиосигналов СВЧ-диапазона на основе резонансно-туннельных диодов
2. Закономерности формирования постепенных отказов наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
2.1. Структурная схема формирования и изменения эксплуатационных параметров наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
2.2. Влияние изменения в процессе деградации параметров резонансно-туннельной структуры на электрические характеристики смесителей радиосигналов СВЧ-диапазона на основе резонансно-туннельных диодов
2.3. Анализ влияния технологических погрешностей на выходные электрические параметры радиоэлектронных устройств на основе наноприборов
3. Конструкторско-технологическая оптимизация радиоэлектронных устройств на основе наноприборов
3.1. Конструкторско-технологическая оптимизация радиоэлектронных устройств на основе наноприборов по критерию максимальной гамма-процентной наработки до отказа
3.2. Конструкторско-технологическая оптимизация радиоэлектронных устройств на основе наноприборов с учетом экспертных оценок поля допустимых значений его выходных параметров
4. Инженерная методика выполнения конструкторско-технологической оптимизации радиоэлектронных устройств на основе наноприборов

Авторы работы: Шашурин В.Д., Ветрова Н.А., Иванов Ю.А., Мешков С.А., Нарайкин О.С., Федоркова Н.В., Москаленко В.О.